КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы с резисторамиPDTC123JT

PDTC123JT, Transistor SOT-23 NPN, NXP

Арт: 300-32-526
PDTC123JT, Transistor SOT-23 NPN, NXP
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Marking: *25
    • Polarity: NPN
    • Housing type: SOT-23
    • Amplification: ≥100
    • Making voltage: 0.75 V
    • Bias resistor 1: 2.2 kOhm
    • Bias resistor 2: 47 kOhm
    • Collector current: 100 mA
    • Power dissipation/mW: 250
    • Collector-emitter voltage/V: 50