КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXTN170P10P

IXTN170P10P, Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -170А; SOT227B; 890Вт, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTN170P10P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -170А; SOT227B; 890Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: SOT227B
    • Монтаж: винтами
    • Мощность: 890Вт
    • Ток стока: -170А
    • Полярность: полевой
    • Тип модуля: транзисторный
    • Рабочая температура: -55...150°C
    • Импульсный ток: -680А
    • Конструкция диода: одиночный транзистор
    • Электрический монтаж: винтами
    • Напряжение сток-исток: -100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 14мОм