КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиCSD19536KTTT

CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 375Вт; D2PAK; NexFET™, Texas Instruments

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: CSD19536KTTT
  • Производитель: Texas Instruments
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 375Вт; D2PAK; NexFET™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: D2PAK
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 375Вт
    • Ток стока: 200А
    • Полярность: полевой
    • Технология: NexFET™
    • Вид упаковки: туба
    • Заряд затвора: 118нC
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 2мОм