КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFCB20N60TM

FCB20N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK; SuperFET®, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Арт:
FCB20N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK; SuperFET®, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FCB20N60TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK; SuperFET®
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: D2PAK
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 208Вт
    • Ток стока: 12.5А
    • Полярность: полевой
    • Технология: SuperFET®
    • Вид упаковки: бобина
    • Заряд затвора: 98нC
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 600В
    • Напряжение затвор-исток: ±30В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 190мОм