КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFDB3632

FDB3632, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 310Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Арт:
FDB3632, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 310Вт; D2PAK, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDB3632
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 310Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: D2PAK
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 310Вт
    • Ток стока: 80А
    • Полярность: полевой
    • Технология: PowerTrench®
    • Вид упаковки: лента
    • Заряд затвора: 110нC
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 22мОм