КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFDB52N20TM

FDB52N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK; UniFET™, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Арт:
FDB52N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK; UniFET™, ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDB52N20TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK; UniFET™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Технические параметры
    • Корпус: D2PAK
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 357Вт
    • Ток стока: 52А
    • Полярность: полевой
    • Технология: UniFET™
    • Вид упаковки: бобина
    • Заряд затвора: 63нC
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 200В
    • Напряжение затвор-исток: ±30В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 49мОм