КаталогАктивные компонентыАналоговые микросхемыВЧ микросхемыМикросхемы ВЧ-усилителейSST12LP17E-QU8E

SST12LP17E-QU8E, Усилители мощности с высоким коэффициентом усиления UDFN8, SST SILICON STORAGE

Арт: 173-88-021
SST12LP17E-QU8E, Усилители мощности с высоким коэффициентом усиления UDFN8, SST SILICON STORAGE
  • добавить в избранное
  • Арт: 173-88-021
  • Наименование: SST12LP17E-QU8E
  • Производитель: SST SILICON STORAGE
  • Доп.наименование: Усилители мощности с высоким коэффициентом усиления UDFN8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)

    Усилители мощности с высоким коэффициентом усиления
    WLAN 11b/g/n полная интеграция PA, InGaP/GaAs технология HBT Семейство Высокочастотные усилители мощности Технические параметры
    • Корпус: UDFN8
    • Питание: 2.75...4.2 V
    • Частота: 2.4...2.5 GHz
    • Выход P1: 28 dBm
    • Импеданс: 50 Ω
    • Усиление: 29 dB
    • Выход IP3: 23 dBm
    • Ток питания:
      200 mA
    • Рабочая температура: -40...+85 °C
    • Напряжение питания, мин.: 2.75 В
    • Напряжение питания, макс.: 4.2 В
    • Рабочая температура, мин.: -40 °C
    • Рабочая температура, макс.: +85 °C



    Задать вопрос

    Ваше имя*
    Ваш E-mail*
    Сообщение*
    Защита от автоматических сообщений
    CAPTCHA
    Введите слово на картинке*

    Нажимая на кнопку "Отправить", вы даете согласие на обработку своих персональных данных.Текст соглашения.